Connect with us

Znanost

Nanotehnologija

Nano ‘pin art’ – korak do masovne proizvodnje nanožica

Znanstvenici na američkom National Institute of Standards and Technology (NIST) rade nanožice od poluvodiča – legura galij-nitrita – polaganjem sloja po sloja atoma na silicijev kristal pod visokim vakuumom.

NIST ima neuobičajenu sposobnost za stvaranje tih nanožica bez uporabe metalnih katalizatora, povećavajući tako luminiscenciju i smanjujući nedostatke. NIST-ove nanožice također imaju odlična mehanička svojstva. Najnoviji eksperimenti, opisani u časopisu Advanced Functional Materials, upućuju na čistoću i nepokvarljivost kristalne strukture NIST-ovih nanožica, dok je kontrolni promjer i položaj bolji nego kod drugih skupina nanožica na osnovi katalizatora o kojima se ranije izvještavalo. Navedenu preciznu kontrolu promjera i položaja bitno je postići da bi se nanožice mogle rasprostranjeno koristiti.

Ključna je stvar u NIST-ovoj metodi izvlačenje žica kroz precizno definirane rupe u matrici koja poput maske pokriva silicijsku podlogu. NIST-ove nanožice rastu kroz otvore u silicij-dušičnoj maski. Oko 30 000 nanožica raste na 76 milimetara širokoj podlozi. Ta metoda gotovo savršeno kontrolira lokaciju nanožica. Žice rastu jednoobrazno kroz najveći broj otvora.

Otvori na maski kreću se u rasponu od 300 do 1000 nanometara (nm) širine, u razmacima od 100 nm. U svakom otvoru od 300 nm ili 400 nm raste jedna nanožica, u dobro oblikovanom i simetričnom šesterokutnom obliku sa šest faceta. Veći otvori daju raznolike rezultate. Otvori od 400 nm do 900 nm daju monokristalne nanožice s višefacetnim vrhovima. Kod struktura uzgojenih u otvorima od 1000 nm događalo se da se više žica zaglavi zajedno. Sve nanožice narasle su do 1000 nm visine u tri dana.

Istraživači su analizirali mikro snimke da statistički provjere jedinstvenost oblika i veličine nanožica. Analiza je pokazala gotovo jednolika područja žice istog promjera kao i gotovo savršeno heksagonalne oblike.

Uzgoj nanožica na siliciju pristup je koji istraživači s NIST-a istražuju za izradu uređaja “nanožice na čipu”. Iako su temperature za uzgoj previsoke, preko 800 stupnjeva Celzija, da bi ih silicijski strujni krugovi podnosili, trebali bi postojati načini da se nanožice najprije proizvedu, a zatim zaštite u procesu izrade strujnih krugova, kaže glavni autor Kris Bertness. Istraživanje financijski dijelom podržavaju Ured za napredne razvojne projekte američkog Ministarstva obrane Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA) i Centar za nano znanost i tehnologiju na Sveučilištu Colorado u Boulderu.

Izvor: National Institute of Standards and Technology (NIST)

Life is a sexually transmitted disease and there is a 100% mortality rate.

Ostavi komentar

Ostavi komentar

Vaša adresa e-pošte neće biti objavljena. Obavezna polja su označena sa *

Više u Nanotehnologija

Popularno

Advertisement

Pratite nas na Fejsu

Na Vrh